钨-钛（W-Ti）膜以及以钨-钛（W-Ti）为基的合金膜是高温合金膜，具有一系列的优良性能。钨具有高熔点、高强度和低的热膨胀系数等性能，金电解槽设计加工，W/Ti合金具有低的电阻系数、良好的热稳定性能。如各种器件都需要起到导电作用的金属布线，例如Al、Cu和Ag等已经被广泛的应用和研究。但是布线金属本身易氧化、易与周围的环境发生反应，与介质层的粘结性差，金电解槽设计，易扩散进入Si与SiO2等器件的衬底材料中，并且在较低的温度下会形成金属与Si的化合物，充当了杂质的角色，使器件的性能大幅度下降。在所有应用产业中，半导体产业对靶材溅射薄膜的品质要求是苛刻的。如今12英寸（300衄口）的硅晶片已制造出来．而互连线的宽度却在减小。硅片制造商对靶材的要求是大尺寸、高纯度、低偏析和细晶粒，这就要求所制造的靶材具有更好的微观结构。靶材的结晶粒子直径和均匀性已被认为是影响薄膜沉积率的关键因素。另外，金电解槽设计报价，薄膜的纯度与靶材的纯度关系极大，过99.995%（4N5）纯度的铜靶，或许能够满足半导体厂商0.35pm工艺的需求，金电解槽设计价格，但是却无法满足如今0.25um的工艺要求。各种纯度铝中的杂质含量及剩余电阻率如表2所示。超纯金属超纯的纯度也可以用剩余电阻率来测定，其值约为2×10-5。现代科学技术的发展趋势是对金属纯度要求越来越高。因为金属未能达到一定纯度的情况下，金属特性往往为杂质所掩盖。不仅是半导体材料，其他金属也有同样的情况，由于杂质存在影响金属的性能。钨过去用作灯泡的灯丝，由于脆性而使处理上有困难，在适当提纯之后，这种缺点即可以克服（钨丝也有掺杂及加工问题）。金电解槽设计价格-金电解槽设计-沈阳东创【用心服务】(查看)由沈阳东创贵金属材料有限公司提供。沈阳东创贵金属材料有限公司是从事“贵金属材料”的企业，公司秉承“诚信经营，用心服务”的理念，为您提供更好的产品和服务。欢迎来电咨询！联系人：赵总。)