企业视频展播，请点击播放视频作者：广东至敏电子有限公司半导体电阻器种类半导体电阻器是电子电路中广泛应用的元件，根据其特性和用途的不同，可分为多种类型。其中，热敏电阻是对温度变化非常敏感的电阻器，包括正温度系数热敏电阻（PTC）和负温度系数热敏电阻（NTC）。它们的阻值会随着温度的变化而增加或减少，因此在温度测量、温度控制、火灾报警等方面有着广泛的应用。光敏电阻则是对光照强度敏感的电阻器，其阻值随着光照强度的增强而减小。根据光谱特性的不同，光敏电阻又可分为紫外光光敏电阻器、可见光光敏电阻器和红外光光敏电阻器，用于不同光照条件下的检测和测量。此外，压敏电阻和磁敏电阻也是半导体电阻器的重要类型。压敏电阻的阻值会随着施加电压的变化而变化，而磁敏电阻则对磁场敏感，其阻值会随磁场的变化而发生变化。这些电阻器在电路保护、磁场检测等领域发挥着重要作用。总的来说，半导体电阻器的种类繁多，每种电阻器都有其特性和应用领域。在实际应用中，需要根据具体的电路需求和工作环境来选择合适的电阻器类型，以确保电路的稳定性和可靠性。氧化锌压敏电阻的残压比（K=Ures/UN）及其在防雷设计中的意义.氧化锌压敏电阻的残压比（K=Ures/UN）是衡量其保护性能的参数，定义为器件在承受瞬态过电压时产生的残压（Ures）与其标称电压（UN）的比值。该参数直接反映了压敏电阻在限压过程中的效能：K值越低，表明其将过电压钳位至更低水平的能力越强，从而为被保护设备提供更优的防护。例如，当K=1.5时，压敏电阻可将超过标称电压50%的过电压限制在1.5倍UN以下，显著降低设备绝缘承受的电压应力。在防雷设计中，残压比的选择直接影响系统安全性与经济性。雷电或操作过电压的幅值可达数千伏，氧化锌压敏电阻通过其非线性伏安特性迅速导通，将过电压能量泄放并将残压控制在安全阈值内。较低的K值（如1.2-1.8）能更有效保护精密电子设备，但需权衡其耐受冲击次数和使用寿命。对于电力系统等大通流场景，柱状测温型压敏电阻，通常选择略高K值（如2.0-2.5）以提升能量吸收能力，同时通过多级防护弥补残压限制的不足。实际应用中需结合系统特性优化设计：1）前级采用气体放电管泄放大部分雷电流，后级压敏电阻进一步降低残压；2）依据被保护设备的绝缘耐受电压（如IEC标准中1.2/50μs波形下的耐压值）选择适配的K值，压敏电阻，确保Ures低于设备耐压等级；3）考虑长期老化特性，预留20%-30%电压裕度。研究表明，残压比降低10%可使设备寿命延长约15%，吸收突波压敏电阻，但需增加压敏电阻体积或并联数量。因此，防雷设计需在残压比、通流容量、成本及可靠性间取得平衡，通过测试验证多级配合的协同效应。浪涌吸收器与压敏电阻均属于过电压保护器件，但两者在响应时间、通流能力及工作原理上存在显著差异，适用于不同场景的浪涌抑制需求。一、响应时间对比压敏电阻基于氧化锌（ZnO）半导体材料的非线性伏安特性，其响应时间极短，通常在25纳秒以内。当电压超过阈值时，内部晶界迅速导通，实现快速钳位，适合抑制高频、陡峭的瞬态脉冲（如EFT、ESD）。浪涌吸收器（如气体放电管GDT）通过气体电离放电实现保护，玻封测温型压敏电阻，需经历气体击穿过程，响应时间较慢，通常在微秒级（0.1~1μs）。对快速上升的尖峰电压可能延迟动作，易出现漏保护现象。二、通流能力对比浪涌吸收器（以GDT为例）通流能力极强，单次耐受可达20~100kA（8/20μs波形），适合吸收大能量雷击浪涌。其通过气体放电分散能量，电极耐高温且无劣化，可重复使用。压敏电阻通流能力较低，单次耐受一般为1~40kA，多次冲击后易因晶界老化导致性能下降。大电流下可能发生烧毁或短路，需定期更换。三、综合应用差异-压敏电阻：适用于低能量、高频次、快速响应的场景（如电源初级保护），但需配合热熔断器防失效。-浪涌吸收器：用于高能量、低频次的高压保护（如通信线路防雷），常作为前级泄放装置。两者常组合使用：GDT作为前级泄放大电流，压敏电阻作为后级快速钳位，兼顾响应速度与通流容量。综上，响应时间与通流能力的差异源于材料与原理的不同，实际选型需结合浪涌特性、系统耐受能力及成本综合考量。吸收突波压敏电阻-压敏电阻-至敏电子公司由广东至敏电子有限公司提供。广东至敏电子有限公司在电阻器这一领域倾注了诸多的热忱和热情，至敏电子一直以客户为中心、为客户创造价值的理念、以品质、服务来赢得市场，衷心希望能与社会各界合作，共创成功，共创辉煌。相关业务欢迎垂询，联系人：张先生。)