一般是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。G：gate栅极；S：source源极；D：drain漏极。MOS管的source（源极）和drain（耗尽层）是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能。这样的器件被认为是对称的。场效应管分为PMOS管（P沟道型）和NMOS（N沟道型）管，属于绝缘栅场效应管。公司成立于2013年7月，专注从事单片机的应用开发及生产，并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售，在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛，大电流mos厂家，为您量身定制适合的芯片方案。mos管失效的六个原因：1、电压失效是大家常说漏源间的BVdss电压超出了mosfet的额定电压，而且超出了一定的能力进而导致mosfet失效。2、电流失效即是超过了mosfet安全工作范围而造成的无效，其中又分为Id超出器件规格而导致的失效以及其Id过大，耗损过高导致器件长期热累积而导致的失效。3、在桥式、LLC等有效到体二极管开展续流的拓扑结构中，因为体二极管遭到毁坏而导致的无效。4、在并联的应用过程中，栅极跟电路寄生参数导致波动会造成谐振失效。5、在干燥的环境中，因为人体跟设备而产生的静电会导致器件的静电无效。6、因为栅极出现异常工作电压顶i峰，导致栅极电压无效。发热情况有：1.电路设计的问题，就是让MOS管工作在线性的工作状态，而不是在开关状态。这也是导致MOS管发热的一个原因。如果N-MOS做开关，G级电压要比电源高几V，才能完全导通，P-MOS则相反。没有完全打开而压降过大造成功率消耗，大电流mos万芯半导体，等效直流阻抗比较大，压降增大，大电流mos价格，所以U*I也增大，南通大电流mos，损耗就意味着发热。这是设计电路的非常忌讳的错误。2.频率太高，主要是有时过分追求体积，导致频率提高，MOS管上的损耗增大了，所以发热也加大了。3.没有做好足够的散热设计，电流太高，MOS管标称的电流值，一般需要良好的散热才能达到。所以ID小于大电流，也可能发热严重，需要足够的辅助散热片。4.MOS管的选型有误，对功率判断有误，MOS管内阻没有充分考虑，导致开关阻抗增大。大电流mos价格-南通大电流mos-苏州炫吉电子(查看)由苏州炫吉电子科技有限公司提供。苏州炫吉电子科技有限公司为客户提供“单片机,MOS,大电流mos”等业务，公司拥有“炫吉”等品牌，专注于集成电路等行业。，在苏州市相城区渭塘镇渭泾西路10-7号的名声不错。欢迎来电垂询，联系人：陈鹤。)