各种纯度铝中的杂质含量及剩余电阻率如表2所示。超纯金属超纯的纯度也可以用剩余电阻率来测定，其值约为2×10-5。现代科学技术的发展趋势是对金属纯度要求越来越高。因为金属未能达到一定纯度的情况下，金属特性往往为杂质所掩盖。不仅是半导体材料，其他金属也有同样的情况，由于杂质存在影响金属的性能。钨过去用作灯泡的灯丝，由于脆性而使处理上有困难，在适当提纯之后，贵金属靶材加工，这种缺点即可以克服（钨丝也有掺杂及加工问题）。各种类型的溅射薄膜材料在半导体集成电路(VLSI)、光碟、平面显示器以及工件的表面涂层等方面都得到了广泛的应用。20世纪90年代以来，溅射靶材及溅射技术的同步发展，极大地满足了各种新型电子元器件发展的需求。例如，贵金属靶材厂家，在半导体集成电路制造过程中，以电阻率较低的铜导体薄膜代替铝膜布线。在被溅射的靶极（阴极）与阳极之间加一个正交磁场和电场，在高真空室中充入所需要的惰性气体（通常为Ar气），磁铁在靶材料表面形成250～350高斯的磁场，同高压电场组成正交电磁场。热压法：ITO靶材的热压制作过程是在石墨或氧化铝制的模具内充填入适当粉末以后，以100kgf/cm2～1000kgf/cm2的压力单轴向加压，同时以1000℃～1600℃进行烧结。热压工艺制作过程所需的成型压力较小，贵金属靶材工艺，烧结温度较低，烧结时间较短。但热压法生产的ITO靶材由于缺氧率高，鞍山贵金属靶材，氧含量分布不均匀，从而影响了生产ITO薄膜的均匀性，且不能生产大尺寸的靶。贵金属靶材厂家-沈阳东创【用心服务】-鞍山贵金属靶材由沈阳东创贵金属材料有限公司提供。沈阳东创贵金属材料有限公司位于沈阳市沈河区文化东路89号。在市场经济的浪潮中拼博和发展，目前东创贵金属在冶炼加工中享有良好的声誉。东创贵金属取得全网商盟认证，标志着我们的服务和管理水平达到了一个新的高度。东创贵金属全体员工愿与各界有识之士共同发展，共创美好未来。)