MOS管FET栅源保护：1）避免栅极di/dt过高因为选用驱动集成ic，其输出阻抗较低，直推功率管会造成推动的功率管迅速的开启和断连，有可能导致功率管漏源极间的工作电压波动，或是有可能导致功率管遭到过高的di/dt而造成误通。为预防以上问题的产生，一般在MOS控制器的导出与MOS管的栅极中间串连一个电阻器，电阻器的尺寸一般选择几十欧母。2）避免栅源极间过压因为栅极与源极的特性阻抗很高，漏极与源极间的工作电压基因突变会根据极间电容藕合到栅极而造成非常高的栅源顶i峰工作电压，此工作电压会使非常薄的栅源空气氧化层穿透，与此同时栅极非常容易累积正电荷也会使栅源空气氧化层穿透，因此，要在MOS管栅极串联稳压极管以限定栅极工作电压在稳压极管值下，保护MOS管不被穿透。3）安全防护漏源极中间过压尽管漏源击穿电压VDS一般都非常大，但假如漏源极不用保护电路，一样有可能由于器件电源开关一瞬间电流量的基因突变而造成漏极顶i峰工作电压，从而毁坏MOS管，功率管电源开关速率越快，造成的过压也就越高。为了更好地避免器件毁坏，一般选用齐纳二极管钳位和RC缓存电路等保护对策。公司成立于2013年7月，专注从事单片机的应用开发及生产，大电流mos，并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售，在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛，为您量身定制适合的芯片方案。无论是NMOS或是PMOS，导通后都会有导通电阻，使得电流在电阻上耗费一定的电能，这种耗费叫做导通耗损。这时我们只要挑选导通电阻小的MOS管就可以减少导通耗损，如今的小功率MOS管导通电阻一般也就几十毫欧的样子，甚至几毫欧的都有。MOS在导通和截至的情况下，并不是在一瞬间完成的。MOS两边的电压有一个降低的过程，流过的电流则有一个升高的过程，大电流mos万芯半导体，在这段时间内，电压和电流相乘即是MOS管的损耗大小。一般开关的损耗要比导通的损耗要大很多，并且要是开关頻率越高，损耗就越大。导通瞬间的电压和电流相乘的数值越大，导致其损耗也越大。如果我们能减少开关时间，就能够减少每次导通时的损耗，减少开关的频率，大电流mos公司，也就能够减少一定时间内开关的频次，从而做到减少开关损耗。公司成立于2013年7月，专注从事单片机的应用开发及生产，并提供全系列中低压MOS及电源、锂电IC等的销售，在LED及小家电等消费类电子产品上应用广泛，WP大电流mos，为您量身定制适合的芯片方案。MOS管导通的意思就是将其做为开关，等同于开关合闭。NMOS的特点是当Vgs超过限定的值时就会导通，适用与源极接地装置的状况，只需栅压电压做到4V或10V就可以了。而PMOS的特点则是当Vgs低于一定的值就会导通，适用与源极接Vcc的状况。可是，尽管PMOS能够很便捷的作为高i档驱动，但因为导通电阻器大、价钱成本高、更换类型少等缘故，在高i档驱动中，一般都用NMOS。大电流mos万芯半导体-大电流mos-苏州炫吉电子科技由苏州炫吉电子科技有限公司提供。“单片机,MOS,大电流mos”选择苏州炫吉电子科技有限公司，公司位于：苏州市相城区渭塘镇渭泾西路10-7号，多年来，炫吉电子坚持为客户提供好的服务，联系人：陈鹤。欢迎广大新老客户来电，来函，亲临指导，洽谈业务。炫吉电子期待成为您的长期合作伙伴！)