EMMI可广泛应用于侦测各种组件缺陷所产生的漏电流，微光显微镜，包括闸极氧化层缺陷(Gateoxidedefects)、静电放电破坏(ESDFailure)、闩锁效应(LatchUp)、漏电(Leakage)、接面漏电(JunctionLeakage)、顺向偏压(ForwardBias)及在饱和区域操作的晶体管，可藉由EMMI定位，找热点(HotSpot或找亮点)位置，进而得知缺陷原因，帮助后续进一步的失效分析。同时利用光诱导的电阻，它的主要原理是利用激光电视，在恒定电压之下进行扫描，通过一部分能量转化为热能，微光显微镜系统，可以关注它所发生的实际变化。这样在检测的过程当中，微光显微镜报价，效率就会得到大幅度的提高。因此在检测芯片的过程当中，其实有很多比较重要的方法，客户可以去关注emmi检测和他的分析方式，目前国内关于芯片的检测机构并不是特别的成熟。EMMI侦测的到亮点、热点(HotSpot)情况；原来就会有的亮点、热点(HotSpot)饱和区操作中的BJT或MOS(SaturatedOrActiveBipolarTransistors/SaturatedMOS)动态式CMOS(DynamicCMOS)二极管顺向与逆向偏压崩溃(ForwardBiasedDiodes/ReverseBiasedDiodesBreakdown)侦测不到亮点情况不会出现亮点的故障奥姆或金属的短路(OhmicShort/MetalShort)亮点被遮蔽之情况埋入式接面的漏电区(BuriedJuncti)金属线底下的漏电区(LeakageSitesUnderMetal)EMMI微光显微镜-微光显微镜-特斯特电子科技公司由苏州特斯特电子科技有限公司提供。行路致远，砥砺前行。苏州特斯特电子科技有限公司致力成为与您共赢、共生、共同前行的战略伙伴，更矢志成为分析仪器具有竞争力的企业，与您一起飞跃，共同成功!)