真空电镀工艺的流程1.加热蒸发过程包括固相或液相转变为气相的过程，每种物质在不同的温度下有不同的饱和蒸气压。2.气化原子或分子在蒸发源与基片之间的运输过程此过程中气化原子或分子与残余气体分子发生碰撞，其碰撞与蒸发原子或分子的平均自由程以及蒸发源到基板距离有关。3.蒸发原子或分子在基片表面的沉积过程即蒸汽的凝聚成核，核生长形成连续膜，为气相转变为固相的过程。上述过程必须在空气稀薄的真空环境中（10-2～1pa）进行，否则蒸发粒子将于空气分子碰撞，使膜污染甚至形成氧化物，或者蒸发源氧化烧毁等。真空电镀工艺流程复杂，非常依赖人工操作。工件（靶材）需要喷涂、装卸、再喷涂，并且也取决于工件的复杂度和数量，所以人力成本很高。真空环境下辐射小、环境污染小，真空电镀现为各行业中广泛应用。真空电镀工艺可能遇到的问题及对策1.蒸发速率对蒸镀涂层的性能影响蒸发速率的大小对沉积膜层的影响较大。由于低的沉积速率形成的膜层结构松散易产生大颗粒沉积，为保证涂层结构的致密性，选择较高的蒸发速率是十分安全的。当真空室内残余气体的压力一定时，则轰击基片的轰击速率即为定值。因此，选择较高沉积速率后的沉积的膜内所含的残余气体会得到减小，从减小了残余气体分子与蒸镀膜材的化学反应。故，沉积膜的纯度即可提高。应当注意的是，真空电镀，沉积速率如果过大可能增加膜的内应力，致使膜层内缺陷增大，严重时可导致膜层破。特别是，在反应蒸镀过程中，为了使反应气体与镀膜材料粒子能够进行充分的反应，可选择较低的沉积速率。当然，对不同的材料蒸镀应当选用不同的蒸发速率。作为沉积速率低会影响膜的性能的实际例子，是反射膜的沉积。如膜厚为600*10-8cm，蒸镀时间为3S时，其反射率为93%。但是，真空电镀公司，如果在同样的膜厚条件下将蒸速率放慢，采用10min的时间来完成膜的沉积。这时膜的厚度虽然相同。但是，反射率已下降到68%。2.基片温度对蒸发涂层的影响基片温度对蒸发涂层的影响很大。高的基片温度吸附在基片表面上的残余气体分子易于排出。特别是水蒸气分子的排除更为重要。而且，在较高的温度下不但易于促进物理吸附向化学吸附的转变，真空电镀加工，从而增加粒子之间的结合力。而且还可以减少蒸汽分子的再结晶温度与基片温度两者之间的差异，从而减少或消除膜基界面的内应力。此外，由于基片温度与膜的结晶状态有关，在基片温度低或不加热的条件下，往往容易形成非结晶态涂层。相反在较高温度时，则易于生成晶态涂层。提高基片温度也有利于涂层的力学性能的提高。当然，基片温度也不能过高，以防止蒸发涂层的再蒸发。真空电镀的工件表面必须保持干燥、光滑，否则会影响处理效果。真空电镀可镀色彩丰富，可以镀7色，比水电镀的颜色要丰富，可达到阳极铝、亮铬、金、银、铜和炮铜（一种铜锡合金）等丰富多彩的效果。水电镀一般只有镀铜（红色），镀镍（偏黄的银色），真空电镀表面处理，镀金，镀银（黑色，有深黑，浅黑等），镀铬（银白色）等单调色彩。真空电镀是常见的金属表面处理技术。真空电镀公司-真空电镀-深圳市瑞泓科技(查看)由深圳市瑞泓科技有限公司提供。深圳市瑞泓科技有限公司拥有很好的服务与产品，不断地受到新老用户及业内人士的肯定和信任。我们公司是商盟认证会员，点击页面的商盟客服图标，可以直接与我们客服人员对话，愿我们今后的合作愉快！)