武汉沐普科技-武汉DFB
DFB芯片设计:芯片分为P极和N极,当注入p-n结的电流较低时,只有自发辐射产生,随电流值的增大增益也增大,达阈值电流时,p-n结产生激光。半导体激光器激光器优点是体积小,重量轻,运转可靠,耗电少,效率很高等特点。半导体激光器的发光部分是由p型和n型半导体构成的pn结管芯,当注入pn结的少数载流子与多数载流子复合时,就会发出可见光,紫外光或近红外光。但pn结区发出的光子是非定向的,即向各个方向发射有相同的几率,因此,并不是管芯产生的所有光都可以释放出来,这主要取决于半导体材料质量、管芯结构及几何形状、封装内部结构与包封材料,应用要求提高半导体激光器的内、外部效率。常规Φ5mm型半导体激光器封装是将边长0.25mm的正方形管芯粘结或烧结在引线架上,管芯的正极通过球形接触点与金丝,键合为内引线与一条管脚相连,负极通过反射杯和引线架的另一管脚相连,然后其顶部用环氧树脂包封。在光纤通信领域,凭借其的单模工作特性,DFB激光器已经成为波分复用(WDM)系统的重要光源。随着技术和需求的发展,近年来DFB激光器的应用领域也越来越多样化。分布式反馈技术出现较早,DFB激光器早在1975年开始出现,但在1981年前申请较零散。随后DFB技术受到重视,被应用于激光器中,带动申请数量快速上涨,虽然从2003年申请量出现回落,但总申请趋势仍然是增长性的,说明研发活动依旧很活跃。由于具有18个月的公开期,导致2020—2021年可检索到的申请数量并不代表真实申请情况。但随着激光器技术的快速发展与5G技术的推广普及,DFB激光器申请量较以往仍会继续增加。DFB激光光源采用国外高l性能DFB激光器芯片、独l特设计的ATC和APC电路以及隔离控制,保证了极高的功率及波长稳定性。该款光源可外接电光调制器通过外部脉冲源产生纳秒甚至皮秒级窄脉宽脉冲光,作为大功率光纤激光器或固体激光器种子源,可应用于激光测距、激光雷达等领域。武汉沐普科技有限公司专注于高稳定性激光光源、探测器以及仪器仪表等产品的研发,是一家集研发、生产、销售、服务一体的厂家,DFB,现今公司有各波长840/1310SLD宽带光源、高稳定性DFB光源以及大光敏面探测器等产品,产品应用于光纤传感,光电检测,生物医学,OCT光学相干成像等传感器领域。武汉沐普科技-武汉DFB由武汉沐普科技有限公司提供。武汉沐普科技有限公司坚持“以人为本”的企业理念,拥有一支高素质的员工队伍,力求提供更好的产品和服务回馈社会,并欢迎广大新老客户光临惠顾,真诚合作、共创美好未来。沐普科技——您可信赖的朋友,公司地址:湖北省武汉市东湖新技术开发区佛祖岭街竹林小路9号金能风电产业园3号厂房栋60F号,联系人:聂总。)
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