
武汉SLD宽带光源订购-武汉沐普科技光源
武汉沐普科技SLD(SLED)宽带光源涵盖了800-1650nm波长范围内不同波长区间的要求,典型中心波长包括:840nm、1060nm、1310nm、1550nm等,输出功率和谱宽具有非常大的选择空间。另外公司还可以根据客户的要求提供低偏振度的SLD光源,满足客户不同应用领域的要求,SLED输出光的低相干度特性对于减小瑞利(Rayleigh)散射噪声极为有利,结合高输出光功率与宽光谱范围的优点,可以有效地降低探测噪声,提高空间分辨率(对于OCT应用)和提高测量灵敏度(对于光纤传感)。硅基光子集成技术中比较难的是光源的集成,由于硅是间接带隙的材料,硅材料本身不易发光,需要进行掺杂其他材料或者将三五族半导体材料做成的集成光源与硅光芯片进行封装后集成。所以现在常用的光源都是独立的,SLD(Superluminescentldiode)光源(超辐射发光二极管)是一种以内部单程增益为特征的光发l射器件。它的光学特性介于半导体激光器和发光二极管之间。在SLD中不存在光的反馈谐振,输出的是非相干光。OCT的核l心是光纤迈克尔逊干涉仪,低相干光源(宽带光源)超辐射发光二极管(SuperluminescenceDiode,SLD)发出的光耦合进入单模光纤,被2×2光纤耦合器均分为两路,一路是经透镜准直并从平面反射镜返回的参考光,另一路是经透镜聚焦到被测样品的采样光束。由反射镜返回的参考光与被测样品的后向散射光在探测器上汇合,当两者之间的光程差在光源相干长度之内时则发生干涉,探测器输出信号反映介质的后向散射强度。扫描反射镜并记录其空间位置,使参考光与来自介质内不同深度的后向散射光发生干涉。根据反射镜位置和相应的干涉信号强度即获得样品不同深度(z方向)的测量数据,再结合采样光束在x-y平面内的扫描,SLD宽带光源订购,通过软件系统对干涉仪的输出进行探测、收集、处理和存贮。将采集到的数据点整合构成一幅视l网膜解剖剖面图(干涉图),图像显示为伪彩色断层图像,颜色对应反射信号的强弱。武汉SLD宽带光源订购-武汉沐普科技光源由武汉沐普科技有限公司提供。武汉沐普科技有限公司坚持“以人为本”的企业理念,拥有一支高素质的员工队伍,力求提供更好的产品和服务回馈社会,并欢迎广大新老客户光临惠顾,真诚合作、共创美好未来。沐普科技——您可信赖的朋友,公司地址:湖北省武汉市东湖新技术开发区佛祖岭街竹林小路9号金能风电产业园3号厂房栋60F号,联系人:聂总。)