湖北SLED-沐普科技光源
武汉沐普科技SLD(SLED)宽带光源涵盖了800-1650nm波长范围内不同波长区间的要求,典型中心波长包括:840nm、1060nm、1310nm、1550nm等,输出功率和谱宽具有非常大的选择空间。另外公司还可以根据客户的要求提供低偏振度的SLD光源,满足客户不同应用领域的要求,低偏振度的特性提供了对高PDL或PDλ元件的准确与一致的测量.在医学应用方面,高能与宽带的特性能够增强断层摄影术一致性的光学品质.。标准SLED(SuperluminescentLED)光源模块是一种工作在超辐射模式的宽光谱范围光源。相比较其它传统的SLED光源(工作于ASE模式下),在同样的驱动电流条件下输出光谱更宽。SLD模块光谱范围从670nm到1610nm我们制造制冷和非制冷模块针对不同应用:光纤传感,光相干层析成像系统(OCT),光器件测试领域,光纤陀螺。我们还提供自由空间模块,特别是原子力显微镜,微区照明,白光1干涉仪,光学测试和测量。我们提供许多客户定制的方案从PM尾纤封装到MM尾纤封装。主要特点:·光谱范围宽·1MHz强度调制·输出功·光谱稳定性良好·尺寸紧凑·高先说一下超辐射光源与LED以及LD的区别,这样可能更好的理解。超辐射光源就是放大的自发辐射。它与半导体激光器以及发光二极管的区别主要体现在这三个特性上面。首先是功率特性,LED是纯粹的自发辐射,功率与注入的电流呈完全线性的关系。而SLD是由于增益介质中的激发密度很高,自发辐射的光子进一步激发载流子复合产生相同的光子,在增益介质内传播过程中不断产生受激辐射,受激发射的光子从而呈指数型增加,由初的自发发射为主变成放大的自发发射为主。而LD是有真正意义上的阈值拐点,即腔内损耗等于增益的时候。对于光谱特性,SLD是初的自发发射谱和LED相同,SLED,但在增益的过程中,靠近中心增益波长的光子得到更大的放大,远离中心增益波长的光子得到的较小的放大,从而使光谱变窄。对于远场分布特性,SLD与LED的区别主要体现在平行于节平面的方向,由于LED是随机的自发辐射,方向也都是随机的,在这一方向的发散角是120°左右,而SLD在经过定向的自发放大后,发散角也得到了缩小,接近于LD的状态,一般为20°左右。湖北SLED-沐普科技光源由武汉沐普科技有限公司提供。行路致远,砥砺前行。武汉沐普科技有限公司致力成为与您共赢、共生、共同前行的战略伙伴,更矢志成为光电子、激光仪器具有竞争力的企业,与您一起飞跃,共同成功!)