武汉840nmSLD-武汉沐普科技
武汉沐普科技SLD(SLED)宽带光源涵盖了800-1650nm波长范围内不同波长区间的要求,典型中心波长包括:840nm、1060nm、1310nm、1550nm等,输出功率和谱宽具有非常大的选择空间。另外公司还可以根据客户的要求提供低偏振度的SLD光源,满足客户不同应用领域的要求SLD,Super-LuminescentlDiodes,即超辐射发光二极管光源。其器件结构与激光二极管LD类似,包含一个电流驱动的p-n结和一个光波导。在正向电流注入下,有源层内反转分布的电子从导带跃迁到价带或杂质能级时,与空穴复合而释放出光子。此时,较弱的自发辐射光,进入到光波导,获得增益,进行光放大,后输出。因此可以将SLD看作是一种不需要入射信号的半导体光放大器。在普通半导体激光二极管中,由于腔体两端面的反射作用会形成法布里-珀罗谐振,当注入电流高于阈值电流时,端面输出增大,会形成激光。但在SLD中,通过处理,器件后端面处的反射强度不足以形成光的反馈谐振,因此SLD输出的是非相干光。所以,SLD是一种宽光谱、弱时间相干性、大功率、高的效率的半导体光发l射器件。其光学性质介于LD和LED之间,具有比LD更宽的发光光谱和更短的相干长度,比LED有更高的输出功率,更高的调制带宽。武汉沐普科技SLD(SLED)宽带光源涵盖了800-1650nm波长范围内不同波长区间的要求,典型中心波长包括:840nm、1060nm、1310nm、1550nm等,输出功率和谱宽具有非常大的选择空间。另外公司还可以根据客户的要求提供低偏振度的SLD光源,满足客户不同应用领域的要求。目前用于光纤陀螺中的宽带光源主要有两种:超辐射发光二极管(SLD)光源以及放大自发辐射(ASE)光源。前者是光子自发辐射被单程受激放大的半导体光源,840nmSLD,因为SLD具有单程放大作用,输出功率可达到mW量级,且具有窄的光束发散角、宽输出光谱以及较高的稳定的尾纤输出光功率,从而可以获得较高信噪比的干涉信号。而ASE光源是放大自发辐射光,具有更高的输出功率,更宽的光谱,更高的波长稳定性及功率稳定性,多用于高精度光纤陀螺系统中。武汉840nmSLD-武汉沐普科技由武汉沐普科技有限公司提供。“SLD宽带光源,高稳定性DFB光源”选择武汉沐普科技有限公司,公司位于:湖北省武汉市东湖新技术开发区佛祖岭街竹林小路9号金能风电产业园3号厂房栋60F号,多年来,沐普科技坚持为客户提供好的服务,联系人:聂总。欢迎广大新老客户来电,来函,亲临指导,洽谈业务。沐普科技期待成为您的长期合作伙伴!)
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