一般情况下，半导体激光器的发光波长随温度变化为0．2-0．3nm／℃，光谱宽度随之增加，影响颜色鲜艳度。另外，当正向电流流经pn结，发热性损耗使结区产生温升，在室温附近，温度每升高1℃，半导体激光器的发光强度会相应地减少1％左右，封装散热；时保持色纯度与发光强度非常重要，以往多采用减少其驱动电流的办法，降低结温，多数半导体激光器的驱动电流限制在20mA左右。但是，半导体激光器的光输出会随电流的增大而增加，目前，很多功率型半导体激光器的驱动电流可以达到70mA、100mA，需要改进封装结构，全新的半导体激光器封装设计理念和低热阻封装结构及技术，改善热特性。例如，采用大面积芯片倒装结构，选用导热性能好的银胶，增大金属支架的表面积，焊料凸点的硅载体直接装在热沉方法。此外，在应用设计中，PCB线路板等的热设计、导热性能也十分重要。激光工作介质激光的产生必须选择合适的工作介质，可以是气体、液体、固体或半导体。在这种介质中可以实现粒子数反转，以制造获得激光的必要条件。显然亚稳态能级的存在，对实现粒子数反转世非常有利的。现有工作介质近千种，可产生的激光波长包括从真空紫外道远红外，非常广泛。为了使工作介质中出现粒子数反转，必须用一定的方法去激励原子体系，使处于上能级的粒子数增加。一般可以用气体放电的办法来利用具有动能的电子去激发介质原子，称为电激励；也可用脉冲光源来照射工作介质，称为光激励。近年来，随着5G的规模部署带动流量快速增长，推动带宽快速提升。同时，新冠疫情的暴发促进数据中心、光纤到户的需求大涨，为光通信产业带来可观的需求，光模块、波分器件、分路器、连接器的市场需求都持续增长，固网、接入网也迎来了新的建设周期。光模块是光通信设备的重要组成部分，而光通信器件是光模块的主要构成部件，其性能主导着光通信网络的升级换代，而激光器则是光模块内部的电光转换器件。半导体激光器具有体积小、重量轻、电光转换、性能稳定、l可靠性高和寿命长等优点，DFB激光器，随着半导体激光器技术的快速发展和突破，半导体激光器产品质量、波长范围和输出功率正在迅速提高，产品种类日益丰富，应用范围覆盖了整个光电子学领域，已成为当今光电子科学的技术，属于光电行业中具发展前途的领域之一。半导体激光器可分为垂直腔面发射激光器（VCSEL）、法布里-珀罗激光器（FP）、分布式反馈激光器（DFB）、电吸收调制激光器（EML）等。不同类型的激光器在性能和成本等方面存在差异，光模块可根据具体规格要求选择不同的芯片方案。在半导体激光器家族中，DFB激光器因其优异的光谱特性与调制特性，已经成为通信系统中为重要、使用为广泛的光源之一。DFB激光器的概念和理论早由美国贝尔实验室的H.Kogelnik和C.V.Shank于1971—1972年间提出，早的半导体DFB激光器出现在1973年。经过近50年的发展，DFB激光器已被广泛应用于光通信、传感、测绘等领域。沐普-武汉DFB激光器由武汉沐普科技有限公司提供。武汉沐普科技有限公司位于湖北省武汉市东湖新技术开发区佛祖岭街竹林小路9号金能风电产业园3号厂房栋60F号。在市场经济的浪潮中拼博和发展，目前沐普科技在光电子、激光仪器中享有良好的声誉。沐普科技取得全网商盟认证，标志着我们的服务和管理水平达到了一个新的高度。沐普科技全体员工愿与各界有识之士共同发展，共创美好未来。)