一般情况下，半导体激光器的发光波长随温度变化为0．2-0．3nm／℃，光谱宽度随之增加，影响颜色鲜艳度。另外，当正向电流流经pn结，发热性损耗使结区产生温升，在室温附近，温度每升高1℃，半导体激光器的发光强度会相应地减少1％左右，封装散热；时保持色纯度与发光强度非常重要，以往多采用减少其驱动电流的办法，降低结温，多数半导体激光器的驱动电流限制在20mA左右。但是，半导体激光器的光输出会随电流的增大而增加，目前，很多功率型半导体激光器的驱动电流可以达到70mA、100mA，需要改进封装结构，全新的半导体激光器封装设计理念和低热阻封装结构及技术，改善热特性。例如，采用大面积芯片倒装结构，选用导热性能好的银胶，增大金属支架的表面积，焊料凸点的硅载体直接装在热沉方法。此外，在应用设计中，PCB线路板等的热设计、导热性能也十分重要。武汉沐普科技SLD（SLED）宽带光源涵盖了800-1650nm波长范围内不同波长区间的要求，典型中心波长包括：840nm、1060nm、1310nm、1550nm等，输出功率和谱宽具有非常大的选择空间。另外公司还可以根据客户的要求提供低偏振度的SLD光源，满足客户不同应用领域的要求。DFB（DistributedFeedbackLaser）分布式反馈激光器是在激光器有源层的限制层或邻近波导层上刻蚀选用一种具有波长选择性的光栅来实现模式的选择，光栅位置以及光栅波纹深度决定了光栅的耦合效率，光栅周期Λ决定了光波波长和分布布拉格反馈的衍射级次。相移光栅基本参量有光栅周期Λ，有效折射率neff，折射率调制深度Δn。在DFB光纤激光器中，只用一个相移光栅来选频和反馈，DFB，实现谐振腔的功能，那么，相应影响光栅的一些参数将会直接影响谐振腔的性能，进而影响激光器的设计。影响因素有相移量、折射率调制深度，相移位置及相移光栅长度，下面运用传输矩阵法结合DFB光纤激光器进行仿l真分析。选频波长一定时，耦合系数k由Δn决定，k=πΔn/λB，在DFB掺铒光纤激光器中，对于一定长度的光栅，损耗会直接影响耦合系数k的选取，k值一般取值范围为90m-1～200m-1。k值太小，在DFB激光器中不能起振，k值太大，由于损耗影响会造成输出功率急剧下降甚至几乎没有输出。本文选取光栅长度为5cm，光栅布拉格波长λB=1550nm，折射率调制深度为Δn=5×10-5，有效折射率为neff=1.45，光栅为单相移，相移量φ=π。光栅周期可由λB=2neffΛ计算得出Λ=534nm。武汉DFB-沐普科技由武汉沐普科技有限公司提供。武汉沐普科技有限公司是从事“SLD宽带光源,高稳定性DFB光源”的企业，公司秉承“诚信经营，用心服务”的理念，为您提供更好的产品和服务。欢迎来电咨询！联系人：聂总。)