硅基光子集成技术中比较难的是光源的集成，由于硅是间接带隙的材料，硅材料本身不易发光，需要进行掺杂其他材料或者将三五族半导体材料做成的集成光源与硅光芯片进行封装后集成。所以现在常用的光源都是独立的，SLD（Superluminescentldiode）光源(超辐射发光二极管)是一种以内部单程增益为特征的光发l射器件。它的光学特性介于半导体激光器和发光二极管之间。在SLD中不存在光的反馈谐振，输出的是非相干光。武汉沐普科技SLD（SLED）宽带光源涵盖了800-1650nm波长范围内不同波长区间的要求，典型中心波长包括：840nm、1060nm、1310nm、1550nm等，输出功率和谱宽具有非常大的选择空间。另外公司还可以根据客户的要求提供低偏振度的SLD光源，满足客户不同应用领域的要求SLD，Super-LuminescentlDiodes，即超辐射发光二极管光源。其器件结构与激光二极管LD类似，包含一个电流驱动的p-n结和一个光波导。在正向电流注入下，有源层内反转分布的电子从导带跃迁到价带或杂质能级时，与空穴复合而释放出光子。此时，较弱的自发辐射光，进入到光波导，获得增益，进行光放大，后输出。因此可以将SLD看作是一种不需要入射信号的半导体光放大器。光学相干层析成像系统结合了低相干干涉和共焦显微测量的特点。系统选用的光源为宽带光源，常用的是超辐射发光二极管(SLD)。光源发出的光经2×2耦合器分别通过样品臂和参考臂照射到样品和参考镜，两个光路中的反射光在耦合器中汇合，SLD宽带光源批发，而两臂光程差只有在一个相干长度内才能发生干涉信号。同时由于系统的样品臂是一个共焦显微镜系统，探测光束焦点处返回的光束具有的信号，可以排除焦点外的样品散射光的影响，这是OCT可以成像的原因之一。把干涉信号输出到探测器，信号的强度对应样品的反射强度，经过解调电路的处理，后由采集卡采集到计算机进行灰度成像。武汉SLD宽带光源批发-沐普科技由武汉沐普科技有限公司提供。“SLD宽带光源,高稳定性DFB光源”选择武汉沐普科技有限公司，公司位于：湖北省武汉市东湖新技术开发区佛祖岭街竹林小路9号金能风电产业园3号厂房栋60F号，多年来，沐普科技坚持为客户提供好的服务，联系人：聂总。欢迎广大新老客户来电，来函，亲临指导，洽谈业务。沐普科技期待成为您的长期合作伙伴！)