先说一下超辐射光源与LED以及LD的区别，这样可能更好的理解。超辐射光源就是放大的自发辐射。它与半导体激光器以及发光二极管的区别主要体现在这三个特性上面。首先是功率特性，LED是纯粹的自发辐射，功率与注入的电流呈完全线性的关系。而SLD是由于增益介质中的激发密度很高，自发辐射的光子进一步激发载流子复合产生相同的光子，在增益介质内传播过程中不断产生受激辐射，受激发射的光子从而呈指数型增加，由初的自发发射为主变成放大的自发发射为主。而LD是有真正意义上的阈值拐点，即腔内损耗等于增益的时候。对于光谱特性，SLD是初的自发发射谱和LED相同，但在增益的过程中，靠近中心增益波长的光子得到更大的放大，远离中心增益波长的光子得到的较小的放大，从而使光谱变窄。对于远场分布特性，SLD与LED的区别主要体现在平行于节平面的方向，由于LED是随机的自发辐射，方向也都是随机的，在这一方向的发散角是120°左右，而SLD在经过定向的自发放大后，发散角也得到了缩小，接近于LD的状态，一般为20°左右。武汉沐普科技SLD（SLED）宽带光源涵盖了800-1650nm波长范围内不同波长区间的要求，典型中心波长包括：840nm、1060nm、1310nm、1550nm等，输出功率和谱宽具有非常大的选择空间。另外公司还可以根据客户的要求提供低偏振度的SLD光源，满足客户不同应用领域的要求SLD，Super-LuminescentlDiodes，即超辐射发光二极管光源。其器件结构与激光二极管LD类似，包含一个电流驱动的p-n结和一个光波导。在正向电流注入下，SLD，有源层内反转分布的电子从导带跃迁到价带或杂质能级时，与空穴复合而释放出光子。此时，较弱的自发辐射光，进入到光波导，获得增益，进行光放大，后输出。因此可以将SLD看作是一种不需要入射信号的半导体光放大器。武汉沐普科技SLD（SLED）宽带光源涵盖了800-1650nm波长范围内不同波长区间的要求，典型中心波长包括：840nm、1060nm、1310nm、1550nm等SLD的主要的应用：波分复用：波分解复用器件将一宽谱光源分割成许多窄线宽的光波，从而用单一光源代替了传统的激光器光源，实现了单一光源的多波长输出武汉SLD-沐普科技(在线咨询)由武汉沐普科技有限公司提供。“SLD宽带光源,高稳定性DFB光源”选择武汉沐普科技有限公司，公司位于：湖北省武汉市东湖新技术开发区佛祖岭街竹林小路9号金能风电产业园3号厂房栋60F号，多年来，沐普科技坚持为客户提供好的服务，联系人：聂总。欢迎广大新老客户来电，来函，亲临指导，洽谈业务。沐普科技期待成为您的长期合作伙伴！)