武汉TDLAS-沐普科技(推荐商家)
半导体激光器特性高功率稳定性、输出功率0~Max连续可调节,实现大、小功率档输出,操作简便;采用进口激光二极管(LD),工作性能很可靠,激光器寿命长,可长时间连续工作;电源自带过热、限流保护电路(附带保险丝),TEC及风扇制冷,可外接信号发生器进行高速调制(TTL调制及模拟调制);可实现加载单模/多模光纤耦合输出,采用进口单模/多模光纤,耦合效果高,操作方便,光纤可拆卸更换;相移光栅基本参量有光栅周期Λ,有效折射率neff,折射率调制深度Δn。在DFB光纤激光器中,只用一个相移光栅来选频和反馈,实现谐振腔的功能,那么,相应影响光栅的一些参数将会直接影响谐振腔的性能,进而影响激光器的设计。影响因素有相移量、折射率调制深度,相移位置及相移光栅长度,下面运用传输矩阵法结合DFB光纤激光器进行仿l真分析。选频波长一定时,耦合系数k由Δn决定,k=πΔn/λB,在DFB掺铒光纤激光器中,对于一定长度的光栅,损耗会直接影响耦合系数k的选取,k值一般取值范围为90m-1~200m-1。k值太小,在DFB激光器中不能起振,k值太大,由于损耗影响会造成输出功率急剧下降甚至几乎没有输出。本文选取光栅长度为5cm,光栅布拉格波长λB=1550nm,折射率调制深度为Δn=5×10-5,有效折射率为neff=1.45,光栅为单相移,相移量φ=π。光栅周期可由λB=2neffΛ计算得出Λ=534nm。激光器的工作原理除自由电子激光器外,TDLAS,各种激光器的基本工作原理均相同。产生激光的的条件是粒子数反转和增益大于损耗,所以装置中的组成部分有激励(或抽运)源、具有亚稳态能级的工作介质两个部分。激励是工作介质吸收外来能量后激发到激发态,为实现并维持粒子数反转创造条件。激励方式有光学激励、电激励、化学激励和核能激励等。武汉TDLAS-沐普科技(推荐商家)由武汉沐普科技有限公司提供。武汉沐普科技有限公司是一家从事“SLD宽带光源,高稳定性DFB光源”的公司。自成立以来,我们坚持以“诚信为本,稳健经营”的方针,勇于参与市场的良性竞争,使“沐普”品牌拥有良好口碑。我们坚持“服务至上,用户至上”的原则,使沐普科技在光电子、激光仪器中赢得了客户的信任,树立了良好的企业形象。特别说明:本信息的图片和资料仅供参考,欢迎联系我们索取准确的资料,谢谢!)
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