超辐射发光二极管(SLD)每个装置以14引脚蝶形封装的形式发货，且集成了半导体制冷片(TEC)和热敏电阻，确保输出稳定。输出耦合到带2.0mm窄键FC/APC接头的SM或PM光纤。请注意，光反馈会降低输出功率或损坏SLD。我们不建议将这些SLD与易于反射的组件一起使用，例如FC/PC接头。SLD13251325nm超辐射发光二极管集成隔离器。以上由武汉沐普科技有限公司为您详细介绍。先说一下超辐射光源与LED以及LD的区别，这样可能更好的理解。超辐射光源就是放大的自发辐射。它与半导体激光器以及发光二极管的区别主要体现在这三个特性上面。首先是功率特性，LED是纯粹的自发辐射，功率与注入的电流呈完全线性的关系。而SLD是由于增益介质中的激发密度很高，自发辐射的光子进一步激发载流子复合产生相同的光子，在增益介质内传播过程中不断产生受激辐射，受激发射的光子从而呈指数型增加，由初的自发发射为主变成放大的自发发射为主。而LD是有真正意义上的阈值拐点，即腔内损耗等于增益的时候。对于光谱特性，SLD是初的自发发射谱和LED相同，但在增益的过程中，靠近中心增益波长的光子得到更大的放大，远离中心增益波长的光子得到的较小的放大，SLED，从而使光谱变窄。对于远场分布特性，SLD与LED的区别主要体现在平行于节平面的方向，由于LED是随机的自发辐射，方向也都是随机的，在这一方向的发散角是120°左右，而SLD在经过定向的自发放大后，发散角也得到了缩小，接近于LD的状态，一般为20°左右。武汉沐普科技SLD（SLED）宽带光源涵盖了800-1650nm波长范围内不同波长区间的要求，典型中心波长包括：840nm、1060nm、1310nm、1550nm等，输出功率和谱宽具有非常大的选择空间。另外公司还可以根据客户的要求提供低偏振度的SLD光源，满足客户不同应用领域的要求，SLED输出光的低相干度特性对于减小瑞利（Rayleigh）散射噪声极为有利，结合高输出光功率与宽光谱范围的优点，可以有效地降低探测噪声，提高空间分辨率（对于OCT应用）和提高测量灵敏度（对于光纤传感）。武汉SLED-沐普科技光源由武汉沐普科技有限公司提供。武汉沐普科技有限公司位于湖北省武汉市东湖新技术开发区佛祖岭街竹林小路9号金能风电产业园3号厂房栋60F号。在市场经济的浪潮中拼博和发展，目前沐普科技在光电子、激光仪器中享有良好的声誉。沐普科技取得全网商盟认证，标志着我们的服务和管理水平达到了一个新的高度。沐普科技全体员工愿与各界有识之士共同发展，共创美好未来。)