武汉沐普科技SLD（SLED）宽带光源涵盖了800-1650nm波长范围内不同波长区间的要求，典型中心波长包括：840nm、1060nm、1310nm、1550nm等，输出功率和谱宽具有非常大的选择空间。另外公司还可以根据客户的要求提供低偏振度的SLD光源，满足客户不同应用领域的要求SLD，Super-LuminescentlDiodes，即超辐射发光二极管光源。其器件结构与激光二极管LD类似，包含一个电流驱动的p-n结和一个光波导。在正向电流注入下，有源层内反转分布的电子从导带跃迁到价带或杂质能级时，与空穴复合而释放出光子。此时，较弱的自发辐射光，进入到光波导，SLD，获得增益，进行光放大，后输出。因此可以将SLD看作是一种不需要入射信号的半导体光放大器。先说一下超辐射光源与LED以及LD的区别，这样可能更好的理解。超辐射光源就是放大的自发辐射。它与半导体激光器以及发光二极管的区别主要体现在这三个特性上面。首先是功率特性，LED是纯粹的自发辐射，功率与注入的电流呈完全线性的关系。而SLD是由于增益介质中的激发密度很高，自发辐射的光子进一步激发载流子复合产生相同的光子，在增益介质内传播过程中不断产生受激辐射，受激发射的光子从而呈指数型增加，由初的自发发射为主变成放大的自发发射为主。而LD是有真正意义上的阈值拐点，即腔内损耗等于增益的时候。对于光谱特性，SLD是初的自发发射谱和LED相同，但在增益的过程中，靠近中心增益波长的光子得到更大的放大，远离中心增益波长的光子得到的较小的放大，从而使光谱变窄。对于远场分布特性，SLD与LED的区别主要体现在平行于节平面的方向，由于LED是随机的自发辐射，方向也都是随机的，在这一方向的发散角是120°左右，而SLD在经过定向的自发放大后，发散角也得到了缩小，接近于LD的状态，一般为20°左右。我们建议遵守每个封装上标注的工作条件。虽然使用推荐的设置可达到更佳性能，但部分用户也可以通过改变这些推荐设置来调整SLD的光谱特性。例如，在较低温度下工作将引起中心波长向更短波长方向漂移。但必须指出，随着温度降低，注入电流也会减小，因此达不到封装上标注的输出功率。SLD应该在恒定电流和恒温模式下操作，选择合适的SLD安装座和驱动器会使操作相对简单。为了安装和驱动这些SLD，Thorlabs推荐使用ITC4000系列激光二极管驱动器和LM14S2安装座。对于多数的有源半导体器件，必须配备标准的抗静电处理步骤，以防止因放电导致的装置损坏沐普科技-武汉SLD由武汉沐普科技有限公司提供。武汉沐普科技有限公司为客户提供“SLD宽带光源,高稳定性DFB光源”等业务，公司拥有“沐普”等品牌，专注于光电子、激光仪器等行业。，在湖北省武汉市东湖新技术开发区佛祖岭街竹林小路9号金能风电产业园3号厂房栋60F号的名声不错。欢迎来电垂询，联系人：聂总。)