先说一下超辐射光源与LED以及LD的区别，这样可能更好的理解。超辐射光源就是放大的自发辐射。它与半导体激光器以及发光二极管的区别主要体现在这三个特性上面。首先是功率特性，LED是纯粹的自发辐射，功率与注入的电流呈完全线性的关系。而SLD是由于增益介质中的激发密度很高，自发辐射的光子进一步激发载流子复合产生相同的光子，在增益介质内传播过程中不断产生受激辐射，受激发射的光子从而呈指数型增加，由初的自发发射为主变成放大的自发发射为主。而LD是有真正意义上的阈值拐点，即腔内损耗等于增益的时候。对于光谱特性，SLD是初的自发发射谱和LED相同，但在增益的过程中，靠近中心增益波长的光子得到更大的放大，远离中心增益波长的光子得到的较小的放大，从而使光谱变窄。对于远场分布特性，SLD与LED的区别主要体现在平行于节平面的方向，由于LED是随机的自发辐射，方向也都是随机的，在这一方向的发散角是120°左右，而SLD在经过定向的自发放大后，840nmSLD台式宽带光源，发散角也得到了缩小，接近于LD的状态，一般为20°左右。光学相干层析成像系统结合了低相干干涉和共焦显微测量的特点。系统选用的光源为宽带光源，常用的是超辐射发光二极管(SLD)。光源发出的光经2×2耦合器分别通过样品臂和参考臂照射到样品和参考镜，两个光路中的反射光在耦合器中汇合，而两臂光程差只有在一个相干长度内才能发生干涉信号。同时由于系统的样品臂是一个共焦显微镜系统，探测光束焦点处返回的光束具有的信号，可以排除焦点外的样品散射光的影响，这是OCT可以成像的原因之一。把干涉信号输出到探测器，信号的强度对应样品的反射强度，经过解调电路的处理，后由采集卡采集到计算机进行灰度成像。武汉沐普科技SLD（SLED）宽带光源涵盖了800-1650nm波长范围内不同波长区间的要求，典型中心波长包括：840nm、1060nm、1310nm、1550nm等，输出功率和谱宽具有非常大的选择空间。另外公司还可以根据客户的要求提供低偏振度的SLD光源，满足客户不同应用领域的要求，SLED输出光的低相干度特性对于减小瑞利（Rayleigh）散射噪声极为有利，结合高输出光功率与宽光谱范围的优点，可以有效地降低探测噪声，提高空间分辨率（对于OCT应用）和提高测量灵敏度（对于光纤传感）。武汉840nmSLD台式宽带光源-沐普科技由武汉沐普科技有限公司提供。武汉沐普科技有限公司是从事“SLD宽带光源,高稳定性DFB光源”的企业，公司秉承“诚信经营，用心服务”的理念，为您提供更好的产品和服务。欢迎来电咨询！联系人：聂总。)