硅基光子集成技术中比较难的是光源的集成，SLD，由于硅是间接带隙的材料，硅材料本身不易发光，需要进行掺杂其他材料或者将三五族半导体材料做成的集成光源与硅光芯片进行封装后集成。所以现在常用的光源都是独立的，SLD（Superluminescentldiode）光源(超辐射发光二极管)是一种以内部单程增益为特征的光发l射器件。它的光学特性介于半导体激光器和发光二极管之间。在SLD中不存在光的反馈谐振，输出的是非相干光。SLD的光学带宽通常是几十纳米。对应的相干长度为几十微米。输出的波长通常为800nm，1300nm和1550nm。输出功率在几毫瓦到几十毫瓦之间。由于辐射的光在空间上接近于是衍射极限的，即空间相干性和光束质量都很高，很容易耦合进光纤中。SLD的这些特性使得在需要平滑的宽光谱（低的时间相干性）和高的空间相干性、相对较高强度光源的领域中不可少。例如：在光学相干断层扫描（OCT）中，用于眼角l膜和视网l膜诊断、心血l管造影以及其他生物医学或者生物研究中，需要高空间分辨率、宽带宽的影像，以及在高的信噪比情况下需要比较高的光功率时，需要用SLD。什么是SLD（超辐射发光二极管）光源?概况SLD（超辐射发光二极管/SLED）光源提供与激光二极管等效的输出功率和与LED（发光二极管）等效的宽振荡光谱宽度，以及低相干度。由于它发射的光具有相当于激光二极管的窄有源层，因此非常适合进入光纤，并且具有介于LD和LED之间的特性。SLD光源是OCT的更佳光源，由于SLD光源像ASE光源一样发出自发辐射光，因此具有较宽的光谱宽度和较低的相干性。更宽的光谱宽度可以实现更高的测量分辨率和特别准确的成像。武汉SLD-沐普(图)由武汉沐普科技有限公司提供。武汉SLD-沐普(图)是武汉沐普科技有限公司今年新升级推出的，以上图片仅供参考，请您拨打本页面或图片上的联系电话，索取联系人：聂总。)