沐普科技(多图)-湖北SLD
SLED光源是专为传感、光纤螺旋和实验室设计的超级光源宽带。SLED光源由半导体发光器件组成,主要包括发光二极管,也就是通常所说的发光二极管、数码管和显示屏。但归根结底,这一系列的发光器件可以称为发光二极管。雪橇在生活中已经无处不在,路边的广告牌、电视、液晶屏上都可以看到它的身影。与一般的宽带光源相比,SLED光源具有输出功率高、光谱范围宽的特点。该产品有台式(实验室应用)和模块式(工程应用)。光学相干层析成像系统结合了低相干干涉和共焦显微测量的特点。系统选用的光源为宽带光源,常用的是超辐射发光二极管(SLD)。光源发出的光经2×2耦合器分别通过样品臂和参考臂照射到样品和参考镜,两个光路中的反射光在耦合器中汇合,而两臂光程差只有在一个相干长度内才能发生干涉信号。同时由于系统的样品臂是一个共焦显微镜系统,探测光束焦点处返回的光束具有的信号,可以排除焦点外的样品散射光的影响,这是OCT可以成像的原因之一。把干涉信号输出到探测器,信号的强度对应样品的反射强度,经过解调电路的处理,后由采集卡采集到计算机进行灰度成像。先说一下超辐射光源与LED以及LD的区别,这样可能更好的理解。超辐射光源就是放大的自发辐射。它与半导体激光器以及发光二极管的区别主要体现在这三个特性上面。首先是功率特性,LED是纯粹的自发辐射,功率与注入的电流呈完全线性的关系。而SLD是由于增益介质中的激发密度很高,自发辐射的光子进一步激发载流子复合产生相同的光子,在增益介质内传播过程中不断产生受激辐射,受激发射的光子从而呈指数型增加,由初的自发发射为主变成放大的自发发射为主。而LD是有真正意义上的阈值拐点,即腔内损耗等于增益的时候。对于光谱特性,SLD是初的自发发射谱和LED相同,SLD,但在增益的过程中,靠近中心增益波长的光子得到更大的放大,远离中心增益波长的光子得到的较小的放大,从而使光谱变窄。对于远场分布特性,SLD与LED的区别主要体现在平行于节平面的方向,由于LED是随机的自发辐射,方向也都是随机的,在这一方向的发散角是120°左右,而SLD在经过定向的自发放大后,发散角也得到了缩小,接近于LD的状态,一般为20°左右。沐普科技(多图)-湖北SLD由武汉沐普科技有限公司提供。行路致远,砥砺前行。武汉沐普科技有限公司致力成为与您共赢、共生、共同前行的战略伙伴,更矢志成为光电子、激光仪器具有竞争力的企业,与您一起飞跃,共同成功!)
武汉沐普科技有限公司
姓名: 聂总 先生
手机: 15927424867
业务 QQ: 695165238
公司地址: 湖北省武汉市东湖新技术开发区佛祖岭街竹林小路9号金能风电产业园3号厂房栋60F号
电话: 159-27424867
传真: 159-27424867